Jusque là, soyons objectifs, la compétition technologique entre Intel et TSMC dans le domaine des semi-conducteurs était largement à l’avantage du taïwanais. Mais l’américain, sous l’impulsion de Pat Gelsinger fait le maximum pour revenir sur son rival. Récemment, il a déclaré que le futur nœud 18A d’Intel, équivalent à 1.8nm, pourrait surpasser les puces de 2nm de TSMC, malgré un lancement prévu un an plus tôt. Malin, l’américain ne dit pas si son 18A sera supérieur technologiquement, il penche même sur une égalité avec TSMC, mais dans le contexte des efforts des États-Unis pour sécuriser les approvisionnements en semi-conducteurs, en raison des tensions avec la Chine, il pense qu’il le supplantera commercialement.

• TSMC prévoit de lancer une version optimisée de son nœud 3nm, appelée N3P, qui devrait atteindre des performances comparables à celles du 18A d’Intel. La production de masse de N3P est attendue pour la seconde moitié de 2024, en même temps que les nœuds 20A (2nm) et 18A d’Intel. TSMC est également confiant que son nœud 2nm N2, prévu pour 2025, surpassera le N3P et le 18A.

Innovations Technologiques d’Intel

• Intel mise beaucoup sur l’introduction de l’architecture RibbonFET pour ses nœuds 20A et 18A. Cette architecture, une version de la technologie des transistors gate-all-around (GAA) et de la livraison de puissance par le côté arrière, deviendra cruciale pour la fabrication de puces en 2nm. Elle permettra d’augmenter les densités logiques et les vitesses d’horloge tout en réduisant les fuites de puissance.

Mais attention, outre Intel et TSMC, Samsung compte également participer à la bataille en lançant la production de masse de semi-conducteurs en 2nm en 2025. De plus, le fabricant japonais Rapidus envisage d’introduire des prototypes en 2025, avec une production de masse prévue pour 2027.