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SK Hynix poursuit son développement dans les technologies de la mémoire et annonce avoir commencé l’échantillonnage de puces mémoire HBM4E. L’entreprise annonce être dans les temps et envoie les premiers exemplaires de sa mémoire à ses clients. On parle ici de module mémoire de douze couches, le tout, pour une capacité mémoire totale de 48 Go. Bref, c’est le type de mémoire que l’on devrait retrouver dans les prochains accélérateurs IA de pointe !

HBM4E : les premières envoyées aux clients de SK Hynix ! 48 Go sur douze couches !

Un wafer de HBM4E Jensen Huand signature Edition.

La HBM4E représente la nouvelle norme de mémoire de type HBM. Si tout se passe bien, nous devrions la voir à l’œuvre dans les futures générations d’accélérateur IA de pointe. On parle ici des GPU NVIDIA Rubin ou encore des AMD Instinct Mi500 par exemple. Dans tous les cas, cette croissance du secteur de l’IA met les producteurs de mémoire sous pression.

Avec ces nouveaux modules, l’entreprise sud-coréenne nous propose des puces de 48 Go constituées de 12 couches, ce qui représente une amélioration de la densité de 50% par rapport à la HBM3E. Au niveau des vitesses, cette mémoire pourra atteindre les 16 Gbps par broche. L’efficience a aussi été améliorée, on parle de 20% de mieux par rapport à la génération précédente tandis que la résistance thermique a fait un bon de 17%. La mémoire SK Hynix est annoncée comme utilisant la technologie avancée MR-MUF pour des raisons de stabilité structurelle. Rappelons qu’il s’agit de plusieurs couches mémoires empilées les unes sur les autres.

Dans les faits, nous retrouvons de la mémoire particulièrement dense et rapide, ce que