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Du côté de Samsung, nous apprenons que l’entreprise réussit un petit exploit en créant une première puce V-NAND de 900 couches. Pour ce faire, la société a « simplement » placé deux puces de 450 couches l’une sur l’autre. Malgré tout, cela requiert de la technique et la société utilise la technologie CMB (Cell Multi-Bounding) pour parvenir à ses fins. Par ailleurs, cela ouvre la voie aux puces de 1000 couches, de quoi augmenter fortement la densité des unités de stockage.

V-NAND 900 couches : deux puces de 450 couches empilées l’une sur l’autre ! Vers une augmentation de la densité ! 

Avec la hausse de la demande dans le secteur de l’IA, le stockage est de plus en plus sollicité pour stocker les données nécessaires à l’entrainement des modèles. Dès lors, cela pousse les fabricants de mémoire à augmenter la densité de leur stockage, mais, progressivement, on arrive aux limites physiques permises par la gravure. Pour remédier à cela, Samsung empile les puces afin déjà empilé afin d’augmenter la capacité de stockage de chaque module mémoire.

Grâce à la technologie CMB (Cell Multi-Bounding), la marque empile deux puces de 450 couches pour en former une de 900 couches. Dès lors, nous retrouvons des capacités par puce doublées.

Vers des puces de 1000 couches ? 

L’intérêt de la chose consiste en l’augmentation de la densité de stockage des SSD notamment. Ainsi, dans un même format, il sera possible de stocker toujours plus de données. In fine, cela permet également de diminuer la consommation des data centers puisqu’il faut moins d’appareils pour atteindre une même capacité donnée.

En l’état, Samsung prévoit être en mesure de produire de telles puces (1000 couches)