La mémoire PoX, ou Phase-change Oxide, développée par l’Université de Fudan en Chine, serait, si les annonces se vérifient, une prouesse technologique qui pourrait secouer les positions en matière d’IA. Elle atteint une vitesse d’écriture de 400 picosecondes, soit 25 milliards d’opérations par seconde. Cette mémoire flash, non volatile, conserve les données sans alimentation, contrairement […]

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